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可控硅主要參數
日期：2026-02-26 06:18
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摘要：
可控硅又叫晶閘管，是晶體閘流管(Thyristor)的簡稱，俗稱可控硅，指的是具有四層交錯P、N層的半導體裝置。*早出現的一種是硅控整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），中國大陸通常簡稱可控硅，又稱半導體控制整流器，是一種具有三個PN結的功率型半導體器件，為**代半導體電力電子器件的代表。晶閘管的特點是具有可控的單向導電，即與一般的二極管相比，可以對導通電流進行控制。晶閘管具有以小電流（電壓）控制大電流（電壓）作用，并體積小、輕、功耗低、效率高、開關迅速等優點，廣泛用于無觸點開關、可控整流、逆變、調光、調壓、調速等方面。
可控硅主要參數；
電流
⒈ 額定通態電流（IT）即*大穩定工作電流，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安。
耐壓
⒉反向重復峰值電壓（VRRM）或斷態重復峰值電壓（VDRM），俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏。
觸發電流
⒊ 控制極觸發電流（IGT），俗稱觸發電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。
額定正向平均電流
4，在規定環境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值
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